Mitsubishi Electric начинает производство карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки
Корпорация Mitsubishi Electric объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.
Особенности новинки:
1) Основа из карбида кремния снижает энергопотребление и позволяет уменьшить размер устройства.
- улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21% по сравнению с изделиями на основе кремния (Si);
- обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели.
2) Повышение надежности благодаря структуре барьера на переходе Шоттки (JBS).
- объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом.
- структура JBS помогает достичь высокой надежности.
Основные характеристики диодов серии SiC-SBD:
|
Модель
|
BD20060T
|
BD20060S
|
|
Номинал
|
20 A/600 В
|
|
Прямой импульсный сверхток
|
155 A (8,3 мс, синусоидальная форма)
|
|
Прямое напряжение диода
|
1,35 В
|
|
Корпус
|
TO-220
|
TO-247
|
|
Размеры
|
10,1Ч29,0Ч4,7 мм
|
15,9Ч41,0Ч5,0 мм
|
