0.00
-0.01
Распечатать материал
Toshiba представляет мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа на 40 и 45 В
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOSIX-H и представляет новые устройства на 40 и 45 В, обладающие ведущим в отрасли[1] низким сопротивлением в открытом состоянии в своем классе и высоким быстродействием.
Новые транзисторы (девять моделей на напряжение 40 В и пять моделей на 45 В) предназначены для работы в промышленных и бытовых устройствах, включая высокоэффективные преобразователи постоянного тока, высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный, источники питания и приводы электродвигателей.
В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки последнего поколения U-MOSIX-H для низковольтных устройств, что позволяет сочетать ведущее в отрасли[1] низкое сопротивление в открытом состоянии в своем классе и низкий выходной заряд и добиться эффективной и быстрой работы устройства. Максимальное значение RDS(ON) (при VGS = 10 В) составляет от 0,80 до 7,5 мОм в зависимости от устройства.
Новая структура позволяет снизить показатель добротности RDS(ON) * Qsw[2], повышая эффективность переключения до уровня, превосходящего характеристики выпускающихся в настоящее время устройств Toshiba[3]. Потери на выходе снижаются за счет снижения выходного заряда, что обеспечивает более высокую эффективность устройств. Кроме того, структуры ячеек новых МОП-транзисторов оптимизированы для подавления импульсных напряжений и затухающих колебаний при переключении, что помогает снизить уровень электромагнитных помех в системе.
В качестве основных корпусов используются SOP-Advance размером 5 мм x 6 мм и TSON-Advance размером 3 мм x 3 мм. Все новые устройства поддерживают управление сигналами логического уровня 4,5 В.
Примечания [1] В категории изделий с такими же номинальными характеристиками по состоянию на 9 декабря 2016 г. Данные исследования Toshiba. [2] RDS(ON): сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. Qsw: заряд переключения затвора. [3] Изделия Toshiba на основе технологического процесса предыдущего поколения U-MOSVIII-H.
Новые транзисторы (девять моделей на напряжение 40 В и пять моделей на 45 В) предназначены для работы в промышленных и бытовых устройствах, включая высокоэффективные преобразователи постоянного тока, высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный, источники питания и приводы электродвигателей.
В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки последнего поколения U-MOSIX-H для низковольтных устройств, что позволяет сочетать ведущее в отрасли[1] низкое сопротивление в открытом состоянии в своем классе и низкий выходной заряд и добиться эффективной и быстрой работы устройства. Максимальное значение RDS(ON) (при VGS = 10 В) составляет от 0,80 до 7,5 мОм в зависимости от устройства.
Новая структура позволяет снизить показатель добротности RDS(ON) * Qsw[2], повышая эффективность переключения до уровня, превосходящего характеристики выпускающихся в настоящее время устройств Toshiba[3]. Потери на выходе снижаются за счет снижения выходного заряда, что обеспечивает более высокую эффективность устройств. Кроме того, структуры ячеек новых МОП-транзисторов оптимизированы для подавления импульсных напряжений и затухающих колебаний при переключении, что помогает снизить уровень электромагнитных помех в системе.
В качестве основных корпусов используются SOP-Advance размером 5 мм x 6 мм и TSON-Advance размером 3 мм x 3 мм. Все новые устройства поддерживают управление сигналами логического уровня 4,5 В.
Примечания [1] В категории изделий с такими же номинальными характеристиками по состоянию на 9 декабря 2016 г. Данные исследования Toshiba. [2] RDS(ON): сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. Qsw: заряд переключения затвора. [3] Изделия Toshiba на основе технологического процесса предыдущего поколения U-MOSVIII-H.
964