0.50
Распечатать материал
Mitsubishi Electric начинает производство карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки
Корпорация Mitsubishi Electric объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.Особенности новинки:
1) Основа из карбида кремния снижает энергопотребление и позволяет уменьшить размер устройства.
- улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21% по сравнению с изделиями на основе кремния (Si);
- обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели.
2) Повышение надежности благодаря структуре барьера на переходе Шоттки (JBS).
- объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом.
- структура JBS помогает достичь высокой надежности.
Основные характеристики диодов серии SiC-SBD:
| Модель | BD20060T | BD20060S |
| Номинал | 20 A/600 В | |
| Прямой импульсный сверхток | 155 A (8,3 мс, синусоидальная форма) | |
| Прямое напряжение диода | 1,35 В | |
| Корпус | TO-220 | TO-247 |
| Размеры | 10,1Ч29,0Ч4,7 мм | 15,9Ч41,0Ч5,0 мм |
337